≥ω≤ 一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图3 中的C2 、R8 为RC 阻容吸收电路。3 结束语双向可控硅过零触发电路主要应用于单片机控制系统的交流本电路如用于感性负载，应增加R4,C3阻容吸收电路及压敏电阻RV作过压保护，防止负载断开和接通瞬间产生很高的感应电压损坏可控硅。220v双向可控硅电路图(三) 双向可控硅的调光
双向可控硅触发电路图一：为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V,脉冲宽度应大于20us.图一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图3 中的C2 、R8 为RC 阻容吸收电路。双向可控硅结构原理图双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电极分别
SCR1、SCR2⼩编选⽤的是封装好的可控硅模块（110A／1000V），SCR3选⽤BTl36，即600V的双向可控硅。本电路如⽤于感性负载，应增加R4，C3阻容吸收电路及压敏电阻RV作过压保护，一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图3中的C2、R8为RC阻容吸收电路。双向可控硅触发电路图三：此时无论是打开开关、和关闭开关(驱动M
≥＾≤ 单片机控制可控硅回路的通断时，最好使用光耦做隔离。所设计的可控硅控制电路如下图所示。单片机的输出端接三极管的基极，通过三极管来控制光耦的通断，图中以灯泡作为负载。当单片双向可控硅及其触发电路双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简
双向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管虽然双向可控硅反向导通，但容易击穿，故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图3中的C2、R8为RC阻容吸收
