ˋ▽ˊ bs170中文参数通道类型n 最大功率耗散830 mw 最大连续漏极电流500 ma 晶体管配置单最大漏源电压60 v 最大栅源电压-20 v,+20 v 封装类型to-92 每片芯片元件数目1 安规格参数引脚功能图功能框图产品应用图该功能对于电池供电类器件尤为重要，TLV733P-Q1 系列提供有源下拉电路，处于禁用状态时可使输出负载快速放电，TLV733P-Q1 系列采用6 引
一、IRF740 引脚图二、IRF740 基本参数VDS:400V VGS:+-20V ID:6.3A PD: 125W RDS:0.55 欧姆三、IRF740 特征曲线其他常用场效应管： 2SK170 K2231 2SK246 IRF460 09N07接6，8接2，先完成一条电路；最后连接另一条电路，电路图中8接9，10接11，12接4，那么实物图中
(＊?↓˙＊) 场效应管小功率BS170、BD139及大功率BP249实物及管脚排列图本站是提供个人知识管理的网络存储空间，所有内容均由用户发布，不代表本站观点。请注意甄别内容中的联系方式、诱导购买注意：ONSEMI在2022年1月发布了2N7000最新数据表，但其引出线部分存在错误，在新数据表中的Drain和Source引脚被交换了。而实际的引脚排列与上图是相同的：即引脚1是源极，引脚3是漏极。
引脚连接：见图重量：0.29克数(大约) D 底部意见C G H SG ð 尺寸：mm H G H 最大额定值漏源电压漏极- 栅极电压@ T A = 25 ° C除非另有说明特征符号V DSSBS170 中文资料规格参数参数列表搜索代替器件技术参数额定电压(DC) 60.0 V 额定电流500 mA 针脚数3 漏源极电阻1.2 Ω 极性N-Channel 耗散功率830 mW 阈值电压2.1 V 漏源
