隧道击穿和雪崩击穿是pn结两种不同的击穿机制。pn结在反向高压下会发生击穿。其中雪崩击穿指势垒边缘扩散进势垒区的电子和空穴在高场下加速，获得极大动能。它们与一、雪崩击穿1.击穿机理电子和空穴在强电场作用下，向相反的方向运动，与空间电荷区内晶格原子发生碰撞，能把价键上的电子碰撞出来，成为导电电子，同时产生空穴，随着碰撞的继续，载流子就大
隧道击穿和雪崩击穿的区别是什么
齐纳击穿和雪崩击穿之间的主要区别在于它们的发生机制，齐纳击穿是由于高电场而发生的，而雪崩击穿是由于自由电子与原子的碰撞而发生的。这两种故障可以同时发生一、性质不同1、雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的
隧道击穿和雪崩击穿的区别在哪
雪崩击穿和齐纳击穿的区别PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于5-6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5-6V时的击穿以雪崩击穿为主。电压在5-6V**隧道击穿与雪崩击穿的区别： 1)掺杂浓度对二者的影响不同隧道击穿取决于穿透几率，与禁带的水平间距有关，掺杂浓度越高，空间电荷区的宽度越窄，水平间距越小，易击穿。因此隧道击穿通常只发生在
隧道击穿和雪崩击穿的区别在于
≥▽≤ 雪崩击穿和齐纳击穿区别主要在于他们的性质和特点不同。一、雪崩击穿和齐纳击穿的性质：1、雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。由于这当空间电荷区越宽时，倍增次数越多，因此雪崩击穿除了与电场强度有关以外，同样与空间电荷区的宽度有关，区别在于雪崩击穿要求“结厚”，而齐纳击穿要求”结薄”；2
雪崩击穿和隧道击穿发生条件的区别
1.pn结电导率与pn结的载流子浓度成正比关系2.与pn结材料迁移率成正比3.迁移率与电场强度关系，强电场根据击穿机理的不同，分为雪崩击穿、隧道击穿。值得注意的一点是，雪崩击穿电压具有正温度系数，隧道击穿电压具有负温度系数。建议学到此处，顺道掌握隧道效应的
