N沟道MOS管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS管集成电路，而P沟道MOS管和N沟道MO场效应管N、P沟道区分及导通：场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。
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P型MOS管开关电路图PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的晶体二极管为一个由p 型半导体和n 型半导体形成的p-n 结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建
MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时n扩散区间这种结构的管子称为N沟道和P沟道结型场效应管，它在电路中用下图所示的符号表示，栅极上的箭头表示栅-源极间的P+N结正向偏置时，栅极电流的方向(由P区指向N区)。N沟道和P沟道结型场
⊙﹏⊙ 一般MOS管的VGS在3.3-4.2V之间，假定VGS=3.5V,供电电压15V,在10ma下配对时，R=(15-3.5)/10ma=1.15K,选合适的电阻后实际通电测量VGS,相同的数值为配对管。实际测量时VGS值会随管子温度测量N,P结型场效应管配对的电路(2)图3中的E2和图4中2009-12-20 23:41:00 PNP型与NPN型的区别是什么我们都知道三极管分为NPN和PNP两种，P指的是Positive,它的
