硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。反向性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~1.2V左右，锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右，但是做不到零伏（理想状态）。若使用万用表电压档测量二极管的
硅二极管的正向压降是多少
百度试题题目硅二极管的正向压降是( ) A. 0.2V B. 0.7V C. 1.7V 相关知识点：试题来源：解析B.0.7V 反馈收藏硅二极管正向管压降是一种静态特性，它是指硅二极管在导通状态下的压降，以电压为变量来表示。硅二极管正向管压降是硅二极管工作状态下产生动态E-I特性曲线的一个重要参数。硅
硅二极管的正向压降比锗二极管的正向压降大
百度试题题目硅二极管的正向导通压降是()。A.0.1VB.0.5VC.0.3VD.0.7V 相关知识点：试题来源：解析D硅二极管的正向电压（也叫压降）是0.6－0.7V之间，这是由制造二极管的材料所决定的，纯硅是不导电的
硅二极管的正向压降为
使二极管能够导通的正向最低电压，小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。二极管的管压降：硅二硅二极管的正向压降一般介于0.6V到1.4V之间，具体取决于二极管的物理结构、拓扑条件、材料等。通常情况下，正向压降在0.6V~0.7V之间，这是因为硅二极管的PN结相对于PN结中的禁带宽度而
