试验系统能满足各种封装形式的二极管、三极管、场效应管、可控硅等分立器件的高温反偏寿命试验(HTRB)、高温漏电流测试(HTIR)、老炼筛选。【高温反偏试验系统】分立器件的高温反偏主要采用的试验标准有MIL-STD-750 方法1038、JESD22-A108、GJB 128A-1997 方法1038、AEC-Q101表2 B1项等。各类标准从试验温度、反偏电压电参数测试均做出了明确
1.温度温度方面，需要跟进实际测试器件的材料以及测试标准来定，例如肖特基芯片的环境温度可能会用100℃，玻璃钝化芯片的环境问题会到150℃；又比如试验设计采用的测试标准是JESD2二、主要用途：用来检验整流二极管的高温性能好坏及可靠性水平。三、试验仪器：PFD - Ⅲ型高温反偏试验台(直流):环境箱、控制系统箱、控制电源箱、老化电源箱、检查箱、控
高温反偏老化试验系统适用于F型、G型、B型、TO220、TO3P、TO92、片式、轴向、径向等各种封装分立器件进行湿热反偏试验：如各种二极管、三极管、场效应管、可控硅、桥堆等。产品名称高温反偏试验系统适用性各类半导体分立器件高温反偏试验(HTRB)和高温漏电流测试(HTIR)。加电方式器件试验参数从器件库中导入，AT TM TM 自动加电试验方式，可单通道操作；老化电(AT
IGBT高压反偏试验是在一定温度条件(125℃)下，按照规定的时间和电压，对IGBT施加反偏电压，从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。EN-320测试系统是专为IGBT模块进老化过程中至少每8 h监测一次。3.高温反偏老化在高温反偏老化中，器件的PN结被同时加上高温环境应力和反向偏压电应力，器件内部无电流或仅有微小的电流通过，几乎不消耗功率。这种老化方法对剔除
本吧热帖：1-(HTGB/HTRB)高温化试验箱|高温反偏老高湿偏置试验系统-易升科技2-武汉微波器件高温反偏老化测试系统-易升仪器3-佛山高温反偏试验系统(H3TRB) - 高温反偏老化试验箱|HTRB桥堆高温反偏老化系统统适用范围：适用于各种封装形式的二极管、三极管、场效应管、可控硅、IGBT等器件进行高温反偏试验(HTRB)和高温漏流测试试验(HTIR)。
