题主，在电路中自举电容容值过大，会引起MOS管烧毁，接入线路后，需要较长的时间才能建立足够大的电压，建议你更换规格小一点的自举电容。吃鱼自举电源有一个耐压很高的隔离二如果频率很低当然要较大电容；如果有上管常开（下关无驱动或驱动时间很短）情况下自举电容电就放完了
自举电容，内部高端MOS需要得到高出IC的VCC的电压，通过自举电路升压得到，比VCC高的电压，否则，高端MOS无法驱动。自举是指通过开关电源MOS管和电容组成的升压电路，通过电源对电容充电所以能自举，是由于电容C的加入。结论就是：电路的自举就是利用电路中不同节点的电位差，通过电容的反馈作用来改变电路某一点的点位，使电路中的电位发生改变，从而减少流过电阻中
如果VS 幅值过大，又会产生三个问题mos管自举电容mos 管自举电容要安装mos 管自举电容，你需要以下步骤：1. 将mos 管抽头线连接到mos 管上，并将它们接在mosbuf 上；2『另外一个问题，这个自举电容的耐压值怎么取？』在这个电路中，C3耐压大于VIN即可。如果VIN是变化的，电容耐压当然要取最大值。其它电路，可能有个单独的电源为自举电容供电，自
∪△∪ 前面也说了，电容在里面起到了充电的作用，所以关于自举电容的容值要适宜，不宜太小，太小会导致电容压差Vc过小，使得高边MOS管无法导通。选值大多为10nF-1uF之间。自举电路的作用就彰显出来了。还是如上图，首先VREGN产生小于5V的电压，让Q3导通，同时VREGN通过二极管D,自举电容C,以及导通的Q3构成对地回路，电容C开始充电，充电完成后，电容两端电
当上管关闭以后，此时电感续流电流最大，下管的二极管导通，SW会被钳位在-0.3V，因此自举电容在此刻如果电容过小，自举电容在上管开通时下降纹波过大，降低电容的使用寿命，开关管损耗变高，开关可靠性也变低；如果电容值过大，自举电容的充电时间减少，低端导通时间可能不足以使电容达到
