功率驱动集成电路中自举元件(电容、二极管)的选择功率驱动集成电路中自举元件(电容、二极管)的选择注意事项：©2022 Baidu |由百度智能云提供计算服务| 使用百度前必读|四、根据损耗来选取二极管的封装首先我们的清楚二极管的类型有一下几种：1、普通二极管2、快恢复二极管3、超快恢复二极管4、肖特基二极管他们的优缺点有：1、普通二极管的特性都是单一
调试一块驱动三相6路的MOSFET的管子的驱动电路，用的是IR2110，但是这个自举电容的选取很难把握，而且自举电阻的作用主要是防止首次对自举电容充电时电流太大的限流，英飞凌的驱动芯片一般已经把自举二极管和电阻内置，不需要额外考虑电阻的选取。这里只是给大家分析原理，当使用外部自
一般情况下，可以通过开通所有N侧IGBT实现自举电容充电。自举电容充电有两种方式，一种是通过单个长脉冲实现，另一种是通过多个短脉冲实现。单个脉冲充电时的波形多脉冲充电时的波选择自举电阻自举电阻的作用主要是防止首次对自举电容充电时电流太大的限流，英飞凌的驱动芯片一般已经把自举二极管和电阻内置，不需要额外考虑电阻的选取。这
●▽● 其中，V_(F,DBOOT,MAX) 为自举二极管导通压降最大值；如果D_BOOT 为外置的自举二极管，则V_(F,DBOOT,MAX) 可以从规格书中读取；如果是降压芯片内置的自举二极管，通常比较小，可以直接自举电容与信号反馈有关，在将输出信号反馈回输入端时，如果相位是相同的话，属于正反馈，主要作用是增加输出，这就是自举电路。本篇文章将为大家介绍在高压驱动IC
自举电路IC的都有一个参数：Qg,这个可以去查一下芯片手册二极管管压降：0.6V 设电容上边那个位置的节点电压：Vc=15-0.6=14.4; 则Cboot=Qg/Vc 自举电容大小C>=10*Cboot; 有自举电路时：选用二极管偏向正向压降VF 要低，就该考虑肖特基二极管偏向恢复时间TRR 要快就该考虑开关二极管或是超快恢复二极管若是偏向高压整流VR要高就该考虑使用
