其次，需要考虑自举二极管的特性参数，如最大电流、最大电压和响应时间等。此外，还需要考虑电路的稳定性和可靠性。根据这些要求，可以选择合适的自举二极管型号和规格。总结一其中，Vf:自举二极管正向压降。VLS:低端器件压降或高端负载压降。内部集成的是双向阻断高压MOSFET,不是二极管。这类IC在中小功率领域很好用，不适合高功率场合。原
建议自举二极管的耐压值大于IGBT的集电极-发射极之间电压值(VCES)。其反向恢复时间trr应该小于100ns(快恢复型)。3) 限流电阻选择限流电阻时要注意电阻的额定功率和对浪涌电流(开2.自举二极管为了降低损耗，以及提高反向恢复速度，推荐使用具有低正向导通压降和低寄生结电容的肖特基二极管。3.自举电阻自举电阻的作用是限制启动时流经自举二极管的电流，这个电
ˋ＾ˊ Bootstrap二极管：自举二极管用于高端驱动电路。由于恢复电流流向二极管取决于驱动器IC 的开关频率，因此请选择具有快速恢复特性的二极管。选择自举二极管时，应考虑施加到功率MOS文介绍了IPM自举电路的基本拓扑结构和原理，并重点研究了自举电容初始充电问题，通过在控制程序中执行简单的初始充电语句，快恢复二极管的应用很好地解决了上述关键问题，并在
自举二极管D必须使用与功率开关管相同耐压等级的快恢复二极管；自举电容设计也至关重要，C1的耐压比功率器件充分导通时所需的驱动电压(典型值为10 V)高。若在C1的充电路径上有1.5 V选型：根据电路工作频率选择二极管的恢复速度，根据自举电容容量以及自举电容放电电流选择二极管的电流，二极管耐压要高于电源电压+自举电容可能充入的最高电压。4
