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场效应管和mos管区别,mos管和场效应管和IGBT区别

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MOS管与结型场效应管有什么区别?通过输出特性曲线和转移特性曲线来区分场效应管前,首先需要了解一个概念,场效应管是压控型器件,它区别于双极型晶体管(流控型导电机理与小功率MOS 管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS 管是横向导电器件,功率MOSFET 大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET (Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET

一、主体不同1、场效应:V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。2、MOS管:金-氧化属物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。二、特性不同MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是场效应管的

1.场效应,V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新兴的高效功率开关器件。MOS管,金属-氧化物半导体场效应管属于绝缘栅型。2. MOS管与场效应管的区别,场效应管(Field Effect TransMOS管,是MOSFET的缩写,全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,翻译过来是金属-氧化物半导体场效应晶体管,根据导电沟道的不同,MOS可以细分为NMOS和PMOS两种。下

\ _ / 1、场效应:V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。2、MOS管:金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。二、特性不同1、场效应:不仅继承了MOS场效导电机理与小功率MOS 管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS 管是横向导电器件,功率MOSFET 大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET (Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET 器件的耐压和耐电流能力

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