ˇ▽ˇ 反向电流突然增大时的电压称击穿电压，即PN结的击穿表象为反向偏置是电流突然增大。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿。半导体器件场板技术是把金属条或者低阻多晶硅条扩展到结外N区的上方，当器件的主结上加反向偏压时，由于场板相对于N区为负电位，抵消了SiO2层中的正电荷对N区表面的影响，并且排斥表面电子，使表面
1.2 GaN 功率器件的研究历史与现状GaN 材料作为第三代宽禁带半导体不仅击穿场强高，还能够与AlGaN 材料形成异质结结构，异质结结构内的二维电子气浓度和迁移这种连锁反应继续下去，使空间电荷区内的载流子数量剧增，就像雪崩一样，使反向电流急剧增大，产生击穿。所以把这种击穿现象称为雪崩击穿，这种效应称为倍增效应。碰撞电离率和雪崩倍增因子1、碰
PN结击穿有齐纳击穿、雪崩击穿及热击穿。齐纳击穿和雪崩击穿都是电击穿，电压降低后PN结完好如初。齐纳击穿很好的用途就是稳压，雪崩击穿通常用于白噪声源。热击穿使实际制造出的PN结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压
￣□￣｜｜ 6.6结击穿两种重要的击穿机制为隧道效应和雪崩倍增。6.6.1隧道效应当一反向强电场加在p-n结时，价电子可以由价带移动到导带，这种电子穿过禁带的过程称为隧穿由于大的横向电场作用耗尽层容易穿越阱区沿右边的表面横向扩展结耗尽区在深槽附近产生大的弯曲于是结仍然会出现大的峰值电场因此对于横向器件深槽结构并不能
