漏源击穿电压：75V 温度系数：0.08/℃ 栅极阈值电压：2.0V 输入电容：3300PF 输出电容：530PF 上升时间：79ns 封装形式：TO-251、252、220、220F 电路图如下75N75场效应管应用最简单75n75电逆变器内部构造展示，本电路是用SG3525集成推动12个WFP75N75场效应管再推动高频磁环(铁氧体环变)的高频机，效率高达95%直接逆变出1000伏交流电，经硅堆全波整流
其它多余的发相器，输入端接地避免影响其它电路。场效应管逆变器电路图二：采用六反相器CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频1、KIA75N75产品描述75N75是N沟道增强型功率场状态特性稳定、快速的效应晶体管开关速度，低热阻，常用于电信和计算机应用。2、KIA75N75产品特征RDS(ON)=12
●△● 会导致烧坏！一般的场效应管的G极电压从5V——15V之间都不会有问题的，你那个最好是选6V——8V之间为好，因为xxNxx系列的管子，它的G极电压一般都高于5V或等于5V，图二是一款高效率的正弦波逆变器电路图，该电路用12V电池供电。先用一片倍压模块倍压为运放供电。可选取ICL7660或MAX1044。运放1产生50Hz正弦波作为基准信号。运放2作为反相器。运放
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