总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏耗尽型与增强型的主要区别在于耗尽型MOS管在G端（Gate）不加电压时有导电沟道存在，而增强型MOS管只有在开启后，才会出现导电沟道；两者的控制方式也不一样，耗尽型MOS管的VGS（栅
此外，耗尽型和增强型分为N沟道型和P沟道型。1、N沟道MOSFET: N 沟道MOSFET 在源极和漏极端子之间有一个N 型沟道。这里的源极和栅极端子用N型半导体重掺杂，衬底用P型半导体材料掺MOS管可以分为增强型和耗尽型，还有P沟道和N沟道。今天就只谈增强型和耗尽型。第一个问题：增强型和耗尽型的定义是根据什么呢？何来增强，何来耗尽呢？一句话，增强和耗尽都是对载流
MOS管就是绝缘栅型场效应管。当UGS=0时，漏源极之间没有导电沟道，UGS增大到开启电压时，漏源极之间才开始形成导电沟道，叫做增强型MOS管；当UGS=0时，漏源极之间有原耗尽型：即在0栅偏压时就能够导电的器件，就是说耗尽型MOS管在G端( Gate )不加电压时就有导电沟道存在。增强型：即在0栅偏压时是不导电的器件，只有当栅极电压的大于其阈值电压时才能
MOS晶体管的增强型晶体管和耗尽型晶体管考虑式(4.4.30)这一简单模型。根据VTO的正负号，MOS晶体管可分为两大类。VTO为正的n沟晶体管称为增强型(或“常态截止”根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。
?﹏? 最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道，而增强型只有在开启后，才出现导电沟道。3、控制方法不同。（增强型：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。即：增强型MOS管必须使得VGS>VGS (th) (栅极阈值电
