芯片电源的IQ 值( I是电流，Q是Quiescent) Quiescent current 芯片的静态电流一般情况芯1片外围没有任何的负住的外围电路情况下，只连接芯片的电源管脚的情况下，测得的流过芯片的In ：额定电流Irq ：壳架电流额定值Ir ：过载保护脱扣电流整定值Isd：短路短延时脱扣电流整定值I
根据容量损失和时间的关系推算电池储存过程中的自放电电流Isd。4)副反应消耗的Li+摩尔数计算法基于电池储存过程Li+消耗速率受负极SEI膜电子电导的影响，推导差动速断的整定值严格按照躲过变压器可能产生的最大励磁涌流或外部短路最大不平衡电流整定，一般可以取：Isd=KIe。其中，K值根据变压器的容量进一步确定，变压器的容量越大，取值就会越
对于时间选择性，上级断路器D1的长延时保护整定电流要大于下级断路器D2的长延时保护整定电流Ir2,D1的短延时保护整定电流Isd1要大于或等于D2的瞬时保护整定电流Ii2,并设置短延时时间Ir是长延时过负荷脱扣器整定电流，热脱口) Isd是短延时过负荷脱扣器的整定电流。磁脱扣) Im是短延时(热磁)脱扣器整定电流。Ii是短路瞬动保护电流。电子式断路器中才有，其
即短延时脱扣电流Isd=2240A tsd:跳闸延迟时间tsd 就是延时的时间，如上图中表示延时0.1 秒注：上图tsd 分on 和off 两个区域，这是短延时保护I²t 曲线的两种应用I²t O你好，施耐德断路器ir和sd代表的含义是：ir代表的是：过载保护设定值。isd代表的是：短延时保护，都有自己的含义，但都是保护电路电器的，质量还是不错的。希望我的回答可以帮到你。土巴
Isd:短延时短路保护电流设定tsd:短路保护脱扣延迟时间设置，单位也是秒Lsd下面标注有×Ir Ir我们在上面的long time 里已经设置过了，只要两个数值相乘就可以如上图：4×960A=5120A 电压vd,黄颜色的较粗波形就是通过示波器运算功能计算出来的漏源极电压△vsd =vs-vd(本例中通道c1测量的是vs,通道c2测量的是vd,因此具体的运算设置就如图2所示的c1-c2);绿色
