ˇ﹏ˇ ir2104工作电压是10V以上,9V勉强自举电容一般用105瓷片,50Hz的PWM竟然也能正常工作.不过为了保险和耐压1、自举电容耐压16~25V,容量要视中点电压而定。因为,在MOS管关断的时候,MOS管的寄生电容会放电,而放电回路就是通过自举电容。如果自举电容过小,会影响电路的自
自举电容1uf低ESL低ESR即可。20楼的图,下面的那半桥,为什么HO接到低端MOS,LO接到了高端MOS呢?有没有谁做过用220V ac整流堆整流流出来,然后用ir2104驱动mos管驱动电机的兄弟自举电容1uf低ESLESR即可。20楼的图,下面的那半桥,为什么HO接到低端MOS,LO接到了高端MOS呢?有没有谁做过用220Vac整流堆整流流出来,
1.选取适当的自举电容,确保在应用中有足够的自举电压2.选择合适的驱动电阻,电阻过大会增加MOSFET的开关损耗,电阻过小会引起相线振铃和相线负压,对系统和驱动IC造成不良影响3.在芯片正确办法:把输入PWM的频率改为10K 。因为自举电容与自举回路的充放电频率有关,频率越高,自举电容越小。3、买到假芯片引起错误有一次测试也是高端引起不正
所以可见,IR2104电源电压必须大于选择的MOS或者IGBT管的导通电压,比如智能车电路里2104用的12V就大于LR7843的导通4.5V。六、IR2104典型电路及原理图4 IR2104典型电路IR2104可以自举电容1uf低ESL低ESR即可。