百度试题题目二次击穿的原因相关知识点：解析答：二次击穿与电压、电流脉冲作用时间和基区电阻率有关。反馈收藏可见，二次击穿是在高压低电流时发生的，相应的功率称为二次击穿耐量，用PSB表示。
但是实际应用中常常发现一次击穿发生时如不有效地限制电流，Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，同时伴随着电压的陡然下降，这种现象称为二次击穿。二次击穿常常立即导致器件这种击穿为一次击穿。如果上述击穿后，电流不加限制，就会出现集电极电压迅速减小，集电极电流迅速增大的现象，通常将这种现象称为二次击穿。编辑本段发生二次击穿的原因产生
≥０≤ 二次击穿最终是由于器件局部过热引起的，而热点形成需要能量的积累，即需要一定的电压、电流乘积和一定的时间。因此，诸如集电极电压、电流、负载特性，导通脉冲宽二次击穿点，随IB不同而改变，当IB>0时出现的二次击穿现象称正向二次击穿，常发生在电流瞬时增大时(突然加较大输入信号或者负载短路),当IB<0时出现的二次击穿称反向二次击穿，常发生在
╯△╰ 二次击穿主要是由于器件体内局部温度过高造成。温度升高的原因是当正向偏置时由热不均衡性引起，反向偏置时由雪崩击穿引起。因为晶体管的热阻在管子内部各处55.功率场效应晶体管的特点是：栅极的静态内阻高，驱动功率小，撤除栅极信号后能自动关断，同时不存在二次击穿，安全工作区范围宽。56.在指导操作和独立操作训练
