ICP刻蚀是一种被广泛使用的技术，可提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀。等离子体能够在低气压下保持稳定，因此能够更好地控制刻蚀形貌。Cobra®ICP刻蚀源在低气压下仍可产生高密度的反应粒子。本文采用单一的二维廓线"线算法"模型实现对刻蚀材料的区分，进而实现了对电感耦合等离子体深刻蚀的二维模拟和三维带状显示。其优点是相比元胞及混合模型算法统一，运行效率高
电感耦合等离子体原理1、物理溅射蚀刻（只有能量离子）溅射刻蚀利用能量离子对材料表面进行轰击，使原子从材料表面飞溅出去，从而实现去除材料的目的。溅射率（每个入射离子中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微公司”，上交所股票代码：688012)在SEMICON China 2021期间正式发布了新一代电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备Primo Twin-Star,用于IC
反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching, RIE)是指在平板电极间施加射频电压，通过产生的等离子体对样品进行化学和物理刻蚀。矽碁科技提供各类定制化RIE设备，广泛应用于氧化硅、氮化硅型号电感耦合等离子体刻蚀系统JL-V02 价格说明价格：商品在爱采购的展示标价，具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化，也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化，
∪﹏∪ 北京理工大学电感耦合等离子体刻蚀系统项目招标项目的潜在投标人应在北京市海淀区四季青常青路和泓四季六号楼国信招标获取招标文件，并于2022年12月22日13点3电感耦合等离子体刻蚀(ICP) 干法刻蚀系统，用于半导体等材料的干法刻蚀，目前可以刻蚀的材料：IGZO, InGaAs, GaAs, InP, GaN, SiO2等。8路工艺气体气路：CH4、H2
