击穿电压是使电介质击穿的电压。电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。不同电介质在具体而言，阻断电压受到三极管电流放大系数的影响，在同等阴阳极电压状况下，由于阴极与阳极发射极的载流子发射，会使器件体现出的漏电流水平较高，而漏电流则会进一步提高阴极侧与阳极
阻断电压和击穿电压的区别
ˇ▂ˇ 更高阻断电压的器件还处于研究阶段，目前SiC PiN二极管在阻断能力上日本和美国最高已经达到20000 V左右，而且由于高击穿电压，需要将管壳封装制作得较大，以保证两管腿之间有足够的2.击穿电压在许多功率MOSFET中，N+源极和P-体形成的结是通过金属物短路的，从而避免意外的导通寄生的三极管。当没有偏置加在栅极时，功率MOSFET通过反向偏置P-体和N-Epi形成的结，可以承受高的漏极电
阻断电压和击穿电压的关系
它与GTR 的输出特性相似.也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ,正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可已实现额定电流数毫安－千安，反向耐压数十伏－千伏的二极管Pn结与外部接触的表面部分由于高电压会发生沿面放电，为此制成斜角结构，并涂硅胶保护。为提高耐压可以在高阻n区中增加p＋和n＋交错重叠
阻断电压和击穿电压一样吗
(-__-)b 下图是相同击穿电压下SiC和Si的单侧突变结中的电场分布：可见，SiC的击穿电场强度是Si的10倍左右，所以SiC功率器件中的电压阻挡层的厚度可以是Si器件中的1/10。并且其掺杂浓度也可以1.电压·集电极-发射极阻断电压UCES:集电极一发射极间的电压；栅极和发射极短路时，集电极和发射极之间的电压。这时集电极电流很小，通常等于lCES。·集电极-
阻断电压和击穿电压哪个好
∪△∪ 采用精细化沟槽栅+场终止技术，优化了导通损耗和开关损耗折中关系，击穿电压达到1200V，具备10μs短路耐受能力，最高工作结温可达175℃，已在新能源汽车上批量装车应用；2.SiC功率模该图显示了可控硅整流器的特性，也代表了三种不同模式下的晶闸管操作，例如反向阻断模式，正向阻断模式和正向导通模式。晶闸管的VI特性也代表了反向阻断电压，正向阻断电压，反向击
