⊙△⊙ 于是，由此可知耗尽区宽度、耗尽区内的电场强度和雪崩击穿电压，在考虑一级效应时，只取决于结的轻掺杂一侧的掺杂浓度而与重掺杂一侧的浓度几乎完全无关。联系方式：邹先生联系电话：0掺杂浓度越低，则击穿电压越高。若要求提高击穿电压，应该降低轻掺杂一侧的掺杂浓度。半导体器件物理(I) 第1章pn结知识点名称1-5 pn结击穿二. 雪崩击穿3. 雪崩击
雪崩击穿一般发生在掺杂浓度较低、外加电压又较高的PN结中。雪崩击穿一般发生在掺杂浓度较低、外加电压又较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较低的PN结，空间电荷区宽雪崩击穿发生在掺杂浓度较低，自由电子冲撞价离子温度越高，雪崩击穿需要的击穿电压越高齐纳击穿发生在掺杂浓度比较高的时候，自由电子直接跳出共价键温度
从PN结的伏安特性曲线中可以看到，当电压反向增大到一定程度之后，电流有一个瞬间的持续增大的变化，则可以利用这一点，电流不断增大的时候电压变化极小，可以忽略，那么就可以形成稳4、对于掺杂浓度较高势垒较薄的PN结，主要是齐纳击穿。掺杂较低因而势垒较宽的PN结，主要是雪崩击穿，而且击穿电压比较高。图片来源于互联网)
˙＾˙ PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越();结深越浅，雪崩击穿电压就越()。点击查看答案进入题库练习查答案就用赞题库APP 还有拍照搜题语音搜题快来试试吧立即下载你可能雪崩击穿都发生在掺杂浓度较低的PN 结中。这种结的阻挡层很宽，随着反向电压的增大，阻挡层内部的电场增强，通过阻挡层的载流子在电场作用下的漂移速度加快，动能增大。当
根据机理，反向击穿可分为齐纳击穿和雪崩击穿。在高掺杂浓度条件下，由于势垒区宽度小，反向电压大，破坏了势垒区的共价键结构，使价电子脱离共价键，产生电子-空穴对，导致电流急剧一般二极管的掺杂浓度不是很高，它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿在特殊二极管中很常见，是稳压二极管。两种二极管都在反向击穿区工作，两者的差异在瞬态脉冲冲击耐受性和电位电压
