mosfet栅极驱动加个电容的原因是什么？由于MOSFET和IGBT的栅极与漏极和源极之间都存在寄生电容。器件的开通不是一下完成的，而是栅极电流逐渐给栅极寄生电容充MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程，当给栅极施加驱动电压后，MOSFET开通过程会分为4个阶段，其中Vgs、Ig、Vds、Id之
MOSFET的栅极电容可以通过以下公式计算：Cgs = εox * Cox * W / L 其中，Cgs为栅极电容，εox为氧化物介电常数，Cox为单位面积氧化物电容，W为通道宽度，L为通道长度。从公式可以过二极管，放电功率不受限制，故此情况下mos管开启速度较关断速度慢，形成硬件死区。限流当使用含内部死区的驱动或不需要硬件死区时，是否可以省去栅极电阻呢？答案
≥△≤ MOS管的栅极电容是由栅极和漏极之间的氧化层构成的。当栅极施加正向电压时，氧化层会形成一个电场，使得栅极和漏极之间的电容变大。而当栅极施加负向电压时，氧化加了这个电容后影响MOS管开关速度，会增大开关损耗，增加管子发热，容易烧管子
