硅二极管的死区电压在室温下，实际硅二极管的死区电压为0.6~0.8V,正向压降为0.6~0.7V。死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即三极管死区电压是指三极管在有截止状态转向放大状态时的电压Ube,一般硅管为0.5V,锗管是0.1V;而导通电压是指三极管处于放大状态时的电压Ube,一般硅管为0.6~0.7V,
1)外加正向电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零，曲线OA段称为不导通区或死区。一般硅管的死区电压约为0.5伏，锗的死区电压约为0.2伏，该电压值又一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。下面是1N4
一般硅二极管的死区电压约为0.5V。死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向硅晶体管的死区电压约为A.0.1V B.0.2V C.0.3V D.0.5V 查看答案
硅二极管的死区电压在室温下，实际硅二极管的死区电压为0.6~0.8V,正向压降为0.6~0.7V。死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即一般来说，小功率硅二极管的死区电压大概是0.5V,导通电压为0.6-0.7V。死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必
