半导体激光器发展的第二阶段是异质结构半导体激光器，它是由两种不同带隙的半导体材料薄层。如GaAs。GaAIAs所组成，最先出现的是单异质结构激光器(1969年)。单异质结注入型激光器(SHL利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术，都可以制造异质结。异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性，使它适宜于制作超高速开关器件、
(2)了解半导体异质结激光器的基本结构、物理原理；(3)熟悉半导体光电子器件的制作工艺过程。二、实验原理1、反应离子刻蚀过程的物理原理与系统结构刻蚀工双异质结构()。A.包含由二种不同材料组成的双层结构B.只起到限制光波的作用C.起到了同时限制载流子和光波的作用D.只起到限制载流子的作用查看答案
╯０╰ LDLD—垂直方向结构设计双异质结(DH-DoubleHeterostructure)LD例如：如果激光输出为几mW,则发光处的光能密度可高达10,相当于太阳表面的能量密度，将使端面处的半室温下脉冲工作，1970年，双异质结Jth量级又下降一个，实现连续室温工作，迅速在光纤通信、光信息处理领域广泛应用。3.2光子在谐振腔内的振荡半导体LD的增益和损耗（1）增益、损耗的概念在有
●﹏● 异质结和同质结结构激光器在阈值电流密度上存在较大差异。为了降低阈值电流，可以使用不同材料构成激光器的PN结，称为异质结半导体激光器。异质结可以将电子与空FP(Fabry-Perot,法布里-珀罗)激光器全称FP 腔纵模激光器，是以FP 腔为谐振腔，发出多纵模相干光的半导体发光器件，属于边发射类型，水平腔结构。FP 激光器，其结构和制作工艺相对简
