＞０＜ BJT的二次击穿现象和安全工作区1.二次击穿现象SB(Secondry Break down)出现一次击穿现象、IC急剧增加，在集电极电流IC增加到某一临界值，会发生集电极电压突然下降，集电极电流急剧如果上述击穿后，电流不加限制，就会出现集电极电压迅速减小，集电极电流迅速增大的现象，通常将这种现象称为二次击穿。产生二次击穿的原因主要是管内结面不均匀
本文分析了晶体管二次击穿的现象和产生原因，并结合开关电源的设计及生产实际，介绍了缓冲回路的应用及其它有关晶体管防护措施。1 二次击穿的原因二次击穿主1.1 二次击穿的原因二次击穿主要是由于器件体内局部温度过高造成。温度升高的原因是当正向偏置时由热不均衡性引起，反向偏置时由雪崩击穿引起。因为晶体管的热阻在管子内
IGBT没有二次击穿现象。 查看答案更多“IGBT没有二次击穿现象。”相关的问题第1题逆变电路不是变频器的主要组成部分。 点击查看答案第2题ZCT变换电1.二次击穿现象二次击穿是GTR突然损坏的主要原因之一，成为影响其安全可靠使用的一个重要因素。二次击穿现象可以用图1-22来说明。当集电极电压UCE增大到集射极间的击穿电压UCEO时，
百度试题题目___存在二次击穿现象，__存在擎住现象。相关知识点：解析空1 GTR;空2 IGBT 反馈收藏BJT二次击穿，对其使用有严重的破坏性，分别代表BJT发射极为正偏压、L5985TR-LF5零偏压和负偏压时的二次击穿特性。现在以零偏压为例来分析二次击穿现象的发生过
