关键字：可控硅(69656)晶闸管(75185)吸收电路(11275)RC阻容(6131) 电容的选择：C=(2.5-5倍)×10的负8次方×IF 1F=1000Uf 1Uf=1000nF 1Nf=1000pf If=0.367Id Id-可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简
?﹏? 可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算(修正),可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算为什么要在晶闸管两端并联阻容网络一、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC为了抑制变流装置换相过电压，以保护整流元件及可控硅，需要在元件阳、阴极(或第一阳极与第二阳极→双向可控硅)之间并联RC阻容保护电路。阻容保护的电阻和电容
一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图3 中的C2 、R8 为RC 阻容吸收电路。双向可控硅过零触发电路主要应用于单片机控制系统的交流负载控制电二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择 C=(2.5-5)×10的负8次方×If If=0.367Id Id-直流电流值 如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)可以计
吸收电路参数计算一、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC 串联网络，该网络常称为RC 阻容吸收电路。我们知道，晶闸管有一个重要特性参数-断态电压临界上如果整流侧采用500A的晶闸管可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5 F 选用2.5 F,1kv 的电容器电阻的选择：R=((2-4) ×535,
RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择C=(2.5-5)×10的负8次方×If If=0.367Id Id-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅) 可以RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择C=(2.5-5)M0的负8次方XIflf=0.367ldId-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)
