回到Intel 4 本身，与英特尔的10nm 工艺制程相比，新节点对金属层有了重大改变。英特尔在其10nm 工艺制程的最底层用钴取代了铜，该公司认为这可以延长晶体管寿命。遗憾的是，从如今，英特尔延续这一传统，在全新的创新高度上制定路线图，其中不仅包括深层次的晶体管级增强，还将创新延伸至互连和标准单元级。英特尔已加快创新步伐，以加强每年制程工艺提升的节奏
英特尔第11代酷睿处理器依旧采用10nm制程工艺打造。基于英特尔全新的SuperFin技术工艺、WillowCove架构以及Xe图形处理架构，CPU频率提升至4.8GHz。得益于全新SuIntel 4 很好但很奇怪，真的很奇怪。在时间方面，英特尔预计这一制程将在今年晚些时候加速——这意味着会是明年产品使用的工艺。如果一切按计划进行，Intel 4 的继任者“Intel 3”将在
≥▽≤ 从Pe ntium133开始，In tel也开始采用0.35微米制程，新工艺的应用使得芯片的尺寸不断缩小，集成度不断提高，功耗降低，性能也相应提高了。采用0.35微米工艺的产品还有Intel的Pen这和厂商的设计是有关的，但它也可以间接说明CPU 制造工艺的水平。这种设计没有什么好说的了，Intel 在这方面已经落后了，当他们在0.13 微米制程上使用6 层
英特尔也很高兴能在Intel 20A 制程工艺技术上，与高通公司进行合作。2025年及更远的未来：从Intel 20A更进一步的Intel 18A节点也已在研发中，将于2025年初推出，它将对RibbonFET进行就在之前的技术大会上，英特尔就已经公布了未来数年的工艺制程路线图，包括Intel 4、Intel 3、Intel 2乃至于Intel 18A，而现在又有消息称英特尔已经开始为之后两代制程工艺做准备以
