可控硅被击穿主要原因有三点1.过电压击穿：过电压击穿是晶闸管击穿的主要原因之一。晶闸管承受过电压的能力几乎没有时间。即使在几毫秒的短时间内，过电压也会被击穿。因此，在实际原因：当二次侧负载(加热体)断路时，会瞬间产生高压，而感应到一次侧，高电压则冲击到SCR模块触发角而导致短路之现象。4.可控硅底板温度超过80度，散热不良导致可
3.耐压：常见耐压一般是应用电压的3-4倍，如国内市电为220V,可控硅电压一般>600V或者>800V;因此实际应用中遇到的客户需求，一般是600,800,1000的标准，前两者较多；耐压不够会导致可控硅无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压(UB0);当有控制极信号时，正向转折电压会下降(即可以在较低正向电压下导通),转折电压随控制极电流的增大而减小。当控制极电流大到
(^人^) 可控硅的触发电压一般是0.8到1.5V,因为型号繁多，具体参数可以查询手册。单相通用型可控硅触发板是通过调整可控硅的导通角来实现电气设备的电压电流功率调整的(1)、单向可控硅：600V~2000V;2、双向可控硅：600V~1800V。一般我们知道，民用单相全电压范围是在90~265V之间。而可控硅的正反向断态重复峰值电压(VDRM/VRRM)与
控硅对过压的承受能力低，门极断开时，晶闸管的正向漏电流比一般硅二极管反向漏电流大，且随着管子正向阳极电压升高对于要使用的栅极可控硅（SCR）触发，可控硅（SCR）必须在其击穿电压以下运行，并且还允许适当的安全裕度
触发电压(VBO):可控硅进入导通状态所需要的电压，通常在10-40V之间额定电压(VRRM):可控硅所能承受的反向电压，通常在100-1600V之间注意：不同型号和厂家的可控型号是db4的双向触发二极管，最小的击穿导通电压是35v，最大的击穿导通电压是45v。双向触发二极管的击穿
