记得以前设计7293自举用100V耐压的电容重新检查设计,发现电容选择的耐压值为25v.根据自举电容的工作原理,当下管导通时,此时电容充电,假设上管导通的时间足够长,此时的电容两端压降为Vin-Vout。在新的
∪﹏∪ 极耐压都是非常有限的,那么这个时候电容的作用就体现出来了,当MOS管导通会使得S极电压为VAAA,由于电容的一端与MOS的S极连接,所以这一端电容电压瞬间为VAAA,由即为5V,我们也可从产品的规格书上可知,BST对SW电压值为7V,那么常规CBST电容的耐压可选择10V,16V等常规耐压值,由于NMOS为电压低压功率器件,Qg值不大,需要的电流很小,仅给MOS结
一般SPEC上会给出BOOT to SW的最大值,如下图是6.5V,所以一般选10V/16V耐压值的电容即可。已注销177059 题主,在电路中自举电容容值过大,会引起MOS管烧毁,接入线路后,需要较综上所述,通常情况下自举电容的耐压选择大于16V即可,具体可参考不同开关转换器的数据手册(Datasheet)。5.10.4.2 如何确定自举电容的取值范围?在进行开关电源电路设计时,规格书中
无论是自居电容被自举前还是自举后,自举电容两端的电压都是为5V,只需关注电容两端的电压即可,因此理论上自举电容的耐压选择大于5V就行了,但是实际电路设计中,电容耐压选择要留有一系统稳压后是3.33的,是用6.3耐压合适,还是说第一个大电容要超过12v用16v耐压。
1、自举电容耐压16~25V,容量要视中点电压而定。因为,在MOS管关断的时候,MOS管的寄生电容会放电,而放电回路就是通过自举电容。如果自举电容过小,会影响电路的自2.自举电容取值一般0.1uF~1uF,以无感或低感的电容为好,另PCB布局上充放电回路要尽量短,减少走线的寄生电管,避免产生LC振荡。3