采用倍频晶体的分离晶体式的半导体激光器，温度变化会影响波长，因为温度变化会造成热胀冷缩，改变倍频晶体的微观结构，从而改变波长，如果是半导体激光二极管直接发光温度身高，自由电子的光学吸收会造成很大的光功率损耗，阈值电流密度随温度变化的曲线如下图1 从这个图也可以看到当温度达到400K时，阈值电流达到160mA,时300K时的4倍。2温度对激射波
图里面是温度的电压，不是温度，所以随着温度电压(热敏电阻电压)的增大，温度降低，波长减小DFB激光器-北京优立光太科技有限公司Vadc=0.1:0.01:2; Temp=1./(log(Vadc)/3930+1/298.15)要想的得到激光器有源区的温度，必须首先计算出激光器的热阻和激光器的产热功率。激光器的热功率可以用工作电流与工作电压之积减去输出功率得到。半导体激光器的热阻无法直接测量，可
从定性方面而言，半导体激光器的输出波长一般随着器件有源区温度的升高而发生红移现象；从定量方面而言，半导体激光器的输出波长随温度的变化可以用下式近似表达： d h c d半导体激光器5.3驱动电流图6半导体激光器一般情况下，半导体激光器的发光波长随温度变化为0.20.3nm/℃
该激光器内部温度每上升1℃,波长向长波方向漂移0.1 nm,每降降低1℃,中心波长向短波方向增加0.1 nm。Abstract: Tuneable semiconductor laser absorption spectroscopy (Tunable Diode Laser Abs因为温度越高，波长越长。随着温度的身高使的激光器的阈值电流增加，输出功率降低，发射波长漂移，造成模式不稳定，增加内部缺陷，严重影响器件的寿命。给应用带来
╯ω╰ 温度的变化会引起不能稳定控制的LD内腔(internal cavity)的物理尺寸大小的变化，从而影响LD的输出波长。温度升高，波长向长波长方向移动。对于808nm左右的LD,温近年来，随着半导体耦合技术的提高，以及新型合束技术的逐渐成熟，部分千瓦级以上的光纤输出的半导体激光器，也可以满足切割对光束质量的要求。另外，由于半导体激
