霍尔效应原理图.ppt,图(a)是在输入回路进行温度补偿电路，当温度变化时，用Rt的变化来抵消霍尔元件的乘积灵敏度KH和输入电阻Ri变化对霍尔输出电势UH的影响。 图(b)则是在输出回路进这需要在霍尔效应元件的表面上横向移动磁铁。当磁场在固定气隙距离内穿过霍尔元件的表面时，侧向或滑过检测对于检测磁场的存在很有用，例如，计算旋转磁铁或电机的旋转速度。根据磁
ˇωˇ 若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I,元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬霍尔元件电路图一：A44E集成霍耳开关图1是A44E集成霍耳开关，A44E集成霍耳开关由稳压器A、霍耳电势发生器(即硅霍耳片)(mT)、差分放大器C、施密特触发器D和OC门输出E 五个基本部分组成
霍尔效应原理图3 霍尔元件金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。4 B I A zCyl D FL L B d xA霍尔元件是根据霍尔效应进行磁电转换的磁敏元件，其典型的工作原理图如图所示。霍尔元件是一个N型半导体薄片，若在其相对两侧通以控制电流I,而在薄片垂直方向加
霍尔传感器工作原理电路图霍尔传感器是一种磁传感器。用它可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔传感器以霍尔效应为其工作基础，是由霍尔元件和它的附属电霍尔元件磁敏传感器原理是基于在电流流过的物体上施加垂直于电流的磁场时，电动势出现在与电流和磁场都正交的方向上的现象。当向薄膜半导体施加电流时，霍尔效应会输出与磁通密度及
