对于A16处理器而言，3nm工艺换成4nm工艺最直接的影响便是功耗提升、性能降低。不过在我看来，苹果手机的性能优势并不因此而消失。毕竟，苹果A15芯片的性能领先同期骁龙8芯片不止一虽然随着芯片的变小，芯片性能也逐渐增强，根据台积电介绍，3nm芯片比4nm芯片功耗降低50%，性能提升35%。但是根据现有知识来看，1nm就是硅基芯片的终点，并且随着芯片的变小，制造工艺的提升也越
相较于5nm，3nm可以带来25%~30%的功耗减少和10%~15%的性能提升。而4nm则同样定于明年晚些时候进行风险试产，2022年投入大规模量产。对于5nm的客户来说，到时候能很平滑的过渡到4nm而相较于5nm，新一代的3nm功耗将减少25~30%、性能提升10~15%。而作为5nm升级版的4nm（N4）将在明年晚些时候风险试产，最快于2022年量产。如果一切顺利，台积电的N5用户将顺利过渡到
ˇ＾ˇ 4nm是5nm制程的延伸，3nm制程则是5nm之后台积电全新一代的芯片制程节点，晶体管密度较5nm将提升70%,运行速度提升10%到15%,能效提升25%到304LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus) 最后一次应用高度成熟和行业验证的FinFET立体晶体管技术，结合此前5LPE工艺的成熟技术，芯片面积更小，性能更高，可以快速达
＋＾＋ 在说法会上，台积电公布了先进工艺的最新进展，5nm工艺已经量产，良率很好，同时还在提升EUV工艺2020-10-19 11:17:45 三星跳过4nm制程转向3nm制程量产，要真正反超台积电存在诸多挑战根据台积电官方所展示的路线图，与5nm工艺相比，台积电3nm工艺的晶体管逻辑密度可以提升1.7倍，性能有11%的提升。而在同等性能下，3nm工艺的功耗比5nm降低25%-30%。就台积电披露的
3nm、2nm、1nm芯片制程目前已发表的gaa晶体管通道材料大部分以硅si为主为了增加电路的运作速度必须提升晶体管的驱动电流垂直堆叠通道电流的总和除了往垂直方向增加通道数目外相比较目前的5nm制程工艺，三星称全新的3nm制程工艺能够有效地降低功耗大约45%，芯片面积也可以降低16%，同时性能提升23%。不过过去三星一直都是在放卫星，而且据悉在晶体管密度上，
